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41.
动态矩阵控制在浆料浓度控制系统中的应用 总被引:2,自引:2,他引:0
针对PTA生产中浆料配制过程这一有纯滞后、大时间常数的非线性系统,进行系统的动态机理分析,与工作点附近的线性化,在此基础上设计DMC-PID串级加前馈控制方案。目前该系统在扬子石化化工厂PTA装置上已成功投运。 相似文献
42.
对复杂高阶系统进行模型简化,为研究与设计系统提供了方便的条件。对系统模型的降阶是控制系统设计与仿真工作者的一个重要研究课题,对高阶复杂系统的分析、设计、仿真等具有重要的理论意义和工程实用价值。针对目前比较成熟的基于系统矩阵的有序实Schur分解方法,提出了采用时矩输出拟合来改善降阶系统输出响应逼近程度的改进方法,从而使简化模型具有输出误差更小、计算简便等优点,通过给出的实例仿真证实了这一点。 相似文献
43.
44.
45.
As we approach 100 nm technology the interconnect issues are becoming one of the main concerns in the testing of gigahertz system-on-chips. Voltage distortion (noise) and delay violations (skew) contribute to the signal integrity loss and ultimately functional error, performance degradation and reliability problems. In this paper, we first define a model for integrity faults on the high-speed interconnects. Then, we present a BIST-based test methodology that includes two special cells to detect and measure noise and skew occurring on the interconnects of the gigahertz system-on-chips. Using an inexpensive test architecture the integrity information accumulated by these special cells can be scanned out for final test and reliability analysis. 相似文献
46.
47.
相干源二维波达方向估计 总被引:4,自引:0,他引:4
本文分析了平面阵接收信号的协方差矩阵,发现它可分解为一个广义对称矩阵与一个非广义对称矩阵之和,利用信号协方差矩阵的这一结构特征,重点研究了相干源二维波达方向(DOA)估计.该方法通过构造一个差矩阵,求出其本特征值对应的任一特征向量,利用谱函数估计相干源二维DOA.简要分析了二维DOA估计的分维处理。 相似文献
48.
纵横波测井资料在储层评价中的应用 总被引:5,自引:1,他引:4
将弹性波基础理论,Gasman理论,Biot理论和实验研究结果相结合,探讨了沉积岩地层中速度和弹性模量,弹性模量和孔隙度,剪切模量和孔隙度,速度和孔隙度,孔隙度和Biot系数之间的关系,利用从各种声学测井资料中提取出的P波和S波时差(或速度)定量评价地层孔隙度和骨架物质,辅以泥质指示测井曲线,可以计算地层孔隙度,饱和度,岩性等参数,在M,Krief方法的基础上,采用优化算法寻求适合于任何岩性地层的孔隙度与Biot系数之间的关系式,提高了Biot系数的计算精度,该评价方法有坚实的实验基础和理论基础,评价结果与实验室岩心分析数据吻合。 相似文献
49.
50.
The bonding of β'-Al2O3 and pyrex glass to Al matrix composites by anodic bonding process is achieved. The microstructure of the bonded interface and the joining mechanisms are analyzed with scanning electron microscope (SEM), energy dispersive X-ray fluorescence spectrometer (EDX). It is observed that the bonding region across the interface consists of the metal layer, oxide transitional layer and the ceramic layer, with the transitional layer composed of surface region and sub-surface region. The bonding process can mainly be categorized into anodic bonding process and solid state diffusing process. The pile-up of the ions and its drift in the interface area are the main reasons for anode oxidation and joining of the interface. The temperature, voltage and the drift ions in the ceramic or glass during the bonding process are the essential conditions to solid state diffusing and oxide bonding at the interface. The voltages, temperature, pressure as well as the surface state are the main factors that influence the anodic bonding. 相似文献